部分使用外置SDRAM的STM32應(yīng)用客戶(hù)反映，在EMC測(cè)試中，由于SDRAM信號(hào)，其產(chǎn)品的輻射干擾超標(biāo)。 終端PCB產(chǎn)品如果不能使用外殼屏蔽輻射干擾，往往需要通過(guò)修改SDRAM信號(hào)的PCB設(shè)計(jì)來(lái)解決此類(lèi)問(wèn)題。

下面就SDRAM的PCB應(yīng)用設(shè)計(jì)中如何改善輻射干擾問(wèn)題做一個(gè)概述，以供參考。

SDRAM設(shè)計(jì)中的輻射干擾對(duì)策

SDRAM 工作頻率高，上升沿和下降沿都很陡。 因此在PCB設(shè)計(jì)中需要將其信號(hào)走線(xiàn)處理為高速信號(hào)傳輸線(xiàn)。 總的來(lái)說(shuō)，應(yīng)注意以下基本原則：

1.保持SDRAM信號(hào)完整性

SDRAM信號(hào)的失真會(huì)進(jìn)一步展寬信號(hào)的輻射頻譜，導(dǎo)致更嚴(yán)重的輻射問(wèn)題。 因此，外包PCB設(shè)計(jì)時(shí)必須注意SDRAM信號(hào)的完整性設(shè)計(jì)。

建議使用四層或更多層板，將SDRAM信號(hào)的特性阻抗控制在50歐姆，盡量減少SDRAM總線(xiàn)上過(guò)孔的使用，保持阻抗連續(xù)性，減少阻抗不連續(xù)引起的信號(hào)反射；

SDRAM信號(hào)走線(xiàn)間距遵循3W原則，兩個(gè)走線(xiàn)中心的間距盡量保持至少3倍線(xiàn)寬，這樣可以減少信號(hào)間相互干擾造成的信號(hào)失真；

SDRAM盡量靠近MCU，縮短MCU到SDRAM的信號(hào)走線(xiàn)長(zhǎng)度（一般不超過(guò)120mm）；

2.保持SDRAM信號(hào)返回路徑最短

對(duì)于多層PCB，高速信號(hào)的返回路徑是其走線(xiàn)在參考平面上的投影。 在PCB設(shè)計(jì)中，應(yīng)注意保持其參考平面的完整性和連續(xù)性。 如果由于信號(hào)換層或電源層劃分造成信號(hào)返回路徑被切斷，則必須通過(guò)增加換層電容/換層地過(guò)孔和電源層跨接電容來(lái)保證SDRAM信號(hào)的最短返回路徑。

3.將SDRAM信號(hào)（尤其是時(shí)鐘信號(hào)）放在PCB的內(nèi)層

在SDRAM信號(hào)中，時(shí)鐘信號(hào)的輻射水平最強(qiáng)，可以通過(guò)將其置于PCB內(nèi)層并用外層銅箔屏蔽來(lái)降低。

STM32的FMC接口設(shè)計(jì)為同時(shí)附有SDRAM和FLASH。 由于SDRAM和FLASH共用部分MCU管腳，其復(fù)雜的走線(xiàn)拓?fù)溥M(jìn)一步增強(qiáng)了SDRAM信號(hào)的輻射干擾。 建議SDRAM和FLASH走線(xiàn)盡量走線(xiàn)在PCB內(nèi)層，這些信號(hào)同時(shí)在PCB外層屏蔽。

4.使 SDRAM 布線(xiàn)區(qū)域盡可能遠(yuǎn)離其他信號(hào)/電纜

其他較長(zhǎng)的走線(xiàn)或電纜可作為天線(xiàn)將耦合后的SDRAM輻射信號(hào)發(fā)出，因此應(yīng)布置在PCB中遠(yuǎn)離SDRAM信號(hào)的區(qū)域。 必要時(shí)，可以在這些走線(xiàn)或電纜的連接端放置磁珠或?yàn)V波器，以衰減SDRAM的輻射信號(hào)。